外媒：AMD也在做3D封装CPU将内存与处理器结合

时间: 2024-02-22 12:44:25 |   作者: 高压探头

  IT之家3月18日音讯 依据外媒的报导，AMD正在尽力将内存嵌入到处理器中的单一封装中，内存将经过硅通道衔接。

  据介绍，在许多范畴，制造商已经在研讨相似的技能，比方HBM2和NAND 3D笔直堆叠。但是，关于处理器而言，这是全新的。新技能不会使实践内存更快，但会使其在全体功能方面更有用。

  早在2018年底的架构日上，英特尔宣告了他们的Foveros 3D封装技能，答应芯片以新的方法堆叠在一起，创造出一个彻底3D的处理器。在2018年世界消费电子展上，英特尔还发布了该公司首款Foveros 3D处理器Lakefield。

  英特尔的Lakefield CPU是英特尔首款“混合处理器”，搭载单个10nm Sunny Cove处理内核以及四个较小的10nm CPU内核。这种组合使英特尔可以在低功耗范围内供给很多多线程功能，然后创立一个低功耗处理器。

  英特尔的Lakefield处理器规划尺度为12mm×12mm，3D封装，底层是I/O芯片，中心是CPU和GPU，处理器顶部是DRAM。

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