AMD发布3D封装技能：处理器与内存、缓存经过硅穿孔堆叠在一起

时间: 2024-02-22 12:44:16 |   作者: 高压探头

  现在的智能手机遍及完成了处理器SoC和内存（DRAM）的堆叠式封装（PoP），从AMD日前发布的信息来看，PC产品也有望完成相似的技能。

  在Rice Oil&Gas高性能核算会议上，AMD高档副总裁Forrest Norrod介绍，他们正跟进3D封装技能，方针是将DRAM/SRAM（即缓存等）和处理器（CPU/GPU）经过TSV（硅穿孔）的方法整合在一颗芯片中。

  其实此前，AMD就首先推出了HBM显存产品，完成了GPU芯片和显存芯片整合封装，但那只是归于2.5D计划。

  3D堆叠的优点在于缩短了电流传递途径，也就会下降功耗。不过，3D封装的应战在于怎样来操控发热。

  AMD称，尽管光刻工艺在精进，可是频率甚至要开端走下坡路，需求一些新的规划助力。