英唐智控：IGBT功率半导体器材兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的长处是上海芯石现在要点的研制产品之一

时间: 2024-01-18 10:08:24 |   作者: 高压探头

  每经AI快讯，有投入资金的人在出资者互动渠道发问：你好，董秘公司的第三代半导体IGBT现咋样了？公司的IGBT的应用领域？谢谢

  英唐智控（300131.SZ）9月29日在出资者互动渠道表明，IGBT功率半导体器材兼具MOSFET的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的长处，是上海芯石现在要点的研制产品之一。现在正处在样品的工程验证阶段。

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