原标题：中国高端芯片联盟首个分联盟成立,丁文武详述联盟下一步重点；高启全：长江存储自主3D NAND、DRAM研发欢迎美光一起加入
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集微网消息，4月10日，在第五届中国电子信息博览会（CITE 2017）同期举办的“中国高端芯片联盟第二次理事大会暨第二次会员大会”上，中国高端芯片联盟理事长丁文武宣布，中国传感器与物联网产业联盟（SIA）正式成为中国高端芯片联盟（CHICA）的首个分联盟。
作为首个分联盟，中国传感器与物联网产业联盟（SIA）同年成立，成为中国传感器与物联网领域首个国家级产业联盟。SIA 理事长王曦院士在致辞中表示，作为分联盟，中国传感器与物联网产业联盟将在高端芯片联盟的领导下，继续致力于加快传感器、信息物理系统（CPS）等核心研发技术，推进以传感器驱动的物联网产业生态圈建设，服务中国人机一体化智能系统2025规划，推动物联网产业的各项智能化规模应用的发展。
传感器是物联网数据采集的核心器件，在产业中扮演着重要角色。不仅本身就具有巨大的经济效益，同时也关系到国家信息安全。经过一年多的发展，SIA 联盟会员规模达到300家，覆盖了传感器及芯片设计、制造、封装测试、系统集成、行业应用、产业资本等产业链所有的环节，将在各个层面对接高端芯片联盟， 积极地推进中国传感器芯片及应用系统的创新驱动和生态链打造，一同推动中国芯片行业的发展。联盟现秘书处单位为上海微技术工业研究院。
在第一届中国高端芯片高峰论坛上，中国高端芯片联盟理事长、国家集成电路产业投资基金股份有限公司总裁带来《加快推进我国高端芯片的发展》的主题演讲。
对于全球集成电路产业高质量发展的新变化，丁文武表示后摩尔时代的半导体产品技术加速变革和创新。在延续摩尔定律阶段，英特尔、台积电、三星陆续研发7nm、5nm 芯片；在扩展摩尔定律阶段，异质器件系统集成成为发展的新趋势，三维器件与封装发展迅速；而在超越摩尔定律阶段，新型 MEMS 工艺、第三代半导体材料器件、二维材料、碳基电子、脑认知与神经计算、量子信息器件等创新技术集中涌现。
丁文武认为，产品需求和新兴应用领域拉动全球半导体市场逐渐回暖。首先，传统 PC 市场进一步萎缩和移动智能终端需求下降，物联网、汽车电子、虚拟现实等成为拉动半导体市场的重要增长点。其次，存储器和特定应用标准产品（ASSP）的单价回升和库存优化，为全球半导体市场增长带来积极影响，市场呈现逐渐回暖态势。
据悉，跨国大企业为加快变革提前布局新兴市场，在细致划分领域寻找新的业务增长点，围绕物联网、无人驾驶、数据中心、人工智能等领域的并购日趋活跃。据丁文武介绍，2016年无人驾驶、物联网等领域的并购案金额超过1000亿美元，数量超越30起。
据丁文武介绍，2016年我国集成电路产业全年实现4335.5亿元的销售额，同比增长20.1%，远高于全球1.1%的上涨的速度。其中，设计业销售额为1644.3亿元，同比增长24.1%；制造业销售额为1126.9亿元，同比增长25.1%；封装业销售额为1564.3亿元，同比增长13.0%。
针对我国集成电路产业的发展状况，丁文武认为我国集成电路产业的技术水平持续提升，骨干企业竞争力也显著提升。大多数表现在四个领域，芯片设计领域：16nm 先进设计芯片占比进一步增加，SoC 设计能力接近国际领先水平；芯片制造领域：32/28nm 工艺实现规模量产，16/14nm 工艺研发取得阶段性进展；芯片封测领域：3D、系统级、晶圆级先进封装加快布局，中高端封装占比提升至30%；装备材料领域：关键装备和材料进入国内外生产线，部分细致划分领域进入全球前列。
同时，丁文武认为我国集成电路产业的资本运作渐趋活跃，产业高质量发展信心得到极大的提振。在国家大基金的带动下，地方基金、社会资本、金融机构等更加关注集成电路产业、行业融资困难得到初步缓解。此外，各地设立地方基金意愿强烈，国内企业和资本走上国际并购舞台，2015年-2016年国内企业和资本海外并购重点案例包括建广资本27.5亿美元并购 NXP 标准业务；紫光集团以25亿美元并购新华三；清芯华创以19亿美元并购OmniVision；建广资本以18亿美元并购NXP RF Power 部门；长电科技以7.8亿美元并购星科金朋；武岳峰资本以7.64亿美元并购 ISSI等等。
此外，在集成电路产业的持续不断的发展中，国际合作层次不断的提高，高端芯片和先进工艺合作成为热点。国际跨国大企业在华发展策略逐步调整，国内企业资源整合、国际合作快速推进。这些合作最重要的包含中芯国际、华为、美国高通和比利时 IMEC 组成合资公司，联合研发14纳米先进制造工艺；美国高通与贵州省政府成立了合资公司，开发基于 ARM 架构的高性能服务器芯片；台积电与南京市政府达成协议，在中国大陆建立第一座12英寸生产线纳米工艺；联电与厦门市政府达成协议，合作兴建12英寸生产线纳米通讯芯片量产。
丁文武表示，习在“419”讲话中作出组建高端芯片联盟的重要指示，在国家集成电路产业发展领导小组办公室的指导下，“中国高端芯片联盟”于2016年7月31日正式成立。联盟发起单位27家，包括国内高端芯片、基础软件、整机应用等产业链的重点骨干企业、著名院校和研究院所共同发起。
目前，联盟正在筹备高端处理器、存储器、高端模拟芯片、可编程器件、传感器等分联盟的统计工作。据丁文武介绍，联盟的经营事物的规模主要包含两个方面，一种原因是聚焦处理器、存储器、传感器、AD/DA、FPGA 等高端芯片领域，整合行业资源，促进战略、技术、标准、市场等沟通协作，打造突破核心技术、建立生态体系、助力企业成长、促进行业发展的关键载体和重要平台；另一方面是围绕高端芯片领域，以建立产业生态为目标，以重点骨干企业为主体，整合各方资源，建立产、学、研、用深层次地融合的联盟，推动协同创新攻关，促进核心技术和产品应用推广，探索体制机制创新，打造“架构-芯片-软件-整机-系统-信息服务”的产业生态体系，推进集成电路产业快速发展。
此外，丁文武也在研讨会上分别从五个方面分享了联盟成立至今的一些工作回顾情况：
1、联盟建设方面：完善联盟机构，制定相关规划，建立联盟工作机制，审议通过财务管理等各项规章制度，加快开展相关活动。
2、会员吸纳方面：完善了联盟章程中的会员管理方法，进一步明确会员责任和义务，以及吸纳新会员的标准和机制，审核通过5家新会员单位。
3、聚焦产业高质量发展方面：检测跟踪产业高质量发展情况，开展行业研究，分析并反映行业突出矛盾，探讨技术路线、引导产业高质量发展、加强会员服务、搭建行业交流平台。
4、组织架构方面：推动成立分联盟，包括成立传感器分联盟，筹备存储器和 FPGA 分联盟，根据时机源势启动 CPU 和 AD/DA 分联盟工作。
5、活动开展方面：提升中国高端芯片联盟的资源整合影响力，展示优势企业技术成果，组织中国高端芯片联盟参加了本届中国电子信息博览会展览。
在演讲的最后，丁文武表示中国高端芯片联盟下一步工作重点主要从四个方向展开：
促进组织内企业、高校、研究所等各方的相互融合，形成良好的自主创新体系和联合研发氛围；通过搭建平台和沟通机制，缩短新产品从研发到投入市场的周期，推动高端核心技术实现顺利产业化和应用。
推动高端芯片共性技术的研发攻关；通过组织专题研讨和定期交流，发挥不同企业的核心优势，强强联合形成协同效应，尽快突破高端芯片领域的技术壁垒。
建立和完善高端芯片领域国际合作交流平台和渠道，加强与国际知名研究机构、企业、联盟、标准组织的交流，扩大国际影响力；通过参与示范性微电子学院和产学研融合协同育人平台的建设工作，助力国内实现高品质人才培养和引进。
加强产业链上下游企业组织技术产品与市场需求的对接；通过定期举办产业生态大会，促进“芯片-软件-整机-系统-信息服务”产业生态体系的建设，提升产业竞争优势。
丁文武补充道，首先，中国高端芯片联盟的建立，主要是针对高端芯片领域的发展现状和需求做调研工作。近期正在开展 CPU 的调研工作，掌握产业状况和诉求。希望能够通过调研帮助我国的合资机构，国家重大专项计划能够有目的的投资企业。第二，联盟将作为企业和政府的桥梁，收集联盟成员单位和行业的诉求，为政府提供意见建议，提供调研报告及企业情况，有利于政府支持和了解高端芯片行业的现状。第三，联盟将积极发挥服务平台的作用，加强联盟工作，为政府为行业会员在政策、规划及行业诉求方面做好本职工作。第四，联盟将成为各方资源的平台，为国内外的联盟协会提供合作交流机会。联盟提供沟通渠道和平台，希望做实事，为中国高端芯片产业的发展尽最大努力。
台湾DRAM教父高启全转战大陆紫光集团操盘存储器大计划超过1年，日前晋升长江存储的执行董事、代行董事长，接受DIGITIMES独家专访公开未来规划；他指出，已齐聚500名研发人员在武汉投入3D NAND开发，也考虑研发20/18纳米DRAM，会在技术开发具竞争力后才开始投产，欢迎美光(Micron)加入合作，双方合则两利，且时间会对长江存储有利！
长江存储计划存储器的研发，制造基地在武汉、南京两地，紫光2017年1月底资金到位，现阶段长江存储的股权结构是大基金占25%、湖北集成电路产业投资基金和湖北投资集团占24%、紫光集团占51%，高启全从2月底成为长江存储的执行董事、代行董事长。
高启全独家在DIGITIMES公开长江存储在技术和量产的规划，技术开发大本营在武汉，现已投入3D NAND研发，2017年底提供32层3D NAND的样本，将是公司技术自主的里程碑，之后从事64层技术，待该技术成熟后，长江存储才会投入3D NAND量产，届时与三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)、东芝(Toshiba)等国际大厂的技术差距会缩短至一代左右。
再者，长江存储也考虑自己开发DRAM技术，可能的切入点是18/20纳米制程，无论是3D NAND或是DRAM，一定要自己掌握核心技术，不会再走过去台湾技术授权的老路！
高启全表示，无论是DRAM或3D NAND技术，最好的合作伙伴是美光，但现在政治气氛不对，美国对大陆半导体产业的积极度有被威胁之感，因此洽谈的时间会再延长，但美光1年来全球DRAM市占率从28%掉到18%，不快加入长江存储的阵营一起奋斗，未来只会更辛苦。
长江存储分为武汉和南京12吋厂两大据点，各自单月产能都是30万片规划，外界对这种的产能规模，以及何时量产都有很多疑问，他强调，12吋厂规划不会是虚晃一招，但技术没成熟前也绝不会冒然投产，长江存储的存储器规划是有计划、慢慢做，千秋大业是急不得，我们也不会去打乱市场的行情。
高启全指出，这样的12吋产能规模将会成为对抗三星电子(Samsung Electroncis)的充裕子弹和最佳利器，欢迎美光加入，现在南韩控制全球DRAM市占高达80%、NAND Flash高达60%，不出几年的时间，南韩就会掌握全球90%的存储器晶片，这是全世界都该害怕的事情，三星是全球科学技术业的威胁。
他进一步表示，一定要有人扮演在全球平衡三星的势力，对台湾亦有利，以大陆有计划的布局可扮演此角色，且只有大陆才有这个资源投入，长江存储就是基于这个出发点而诞生，也是大基金唯一真正投资的存储器阵营。
他分析，大陆每年进口的 芯片金额高达2,500亿美元，当中以存储器芯片为大宗，但自己制造的主流DRAM和NAND Flash芯片却是零，大陆有半导体政策要做、出钱出力、给时间让技术落地生根，大多数人应该更正面去看长江存储的规划和发展。
他强调，3D NAND和DRAM技术绝对在大陆自主开发，技术不成熟时不会冒然投产，另外，我们不会再走回过去台湾技术授权的失败老路，发展自有技术同时，侵犯别人专利会付钱，且长存已累积多个3D NAND专利，别人用到也要付费，唯有合法来源取得技术，持续前进，才能吸引到全球人才，打造国际级的规格。DIGITIMES
业界一致认为，5G将开创通信行业的新时代，是国家战略信息基础设施、国民经济转型升级的重要驱动力。5G带来了大规模技术变革，限于技术、标准成熟度，预计2020年前后规模商用，因此，近年来各大厂商都在寻找通往5G的正确道路。
通往5G“珠穆朗玛峰”的道路有很多条，Pre5G的选择已得到了业界广泛认可，其核心技术空分复用，同时也是5G的核心技术。2016年巴塞罗那移动大会上，中兴通讯凭借Pre5G Massive MIMO基站获得“最佳移动技术突破奖”及“CTO选择奖”两项大奖，是中国企业首度获得“通信奥斯卡”；截止目前，中兴通讯在全球30个国家部署了超过40个Pre5G网络。
近日央视2套《经济半小时》策划了《中国芯生存状态调查》专题，4月7日晚播放的《方寸天地中的追赶》一集，深入采访了中兴通讯。央视认为，自主研发的Pre5G通信芯片，是中兴通讯能够在5G全球竞争中取得领先身位的重要的条件。一颗跳动的“中国芯”，推动了中国在5G领域起航。中兴通讯表示将在2018年第三季度开始5G的商用预部署，2019年第一季度实现5G规模商用部署。
深圳南山科技园，某个工作日的下午六点。央视记者观看了Pre5G基站的第206次测试，要同时检测200台手机在高楼密布条件下的信号水平。根据中兴通讯测试工程师张恩阳的测试结果，200台手机达到了1.4Gbps的，是4G网络平均网速的7倍。
中兴通讯首席科学家向际鹰介绍，Pre5G可以在4G网络中提前采用5G技术，成倍提升网络吞吐量。同时，基站天线通道，对芯片提出了非常高的要求：计算能力超强、功耗低、集成度高，并且要紧跟网络实际应用步伐，控制芯片成本，加快研发进度。
芯片的研发周期一般在两年以上，而且对Pre5G通信芯片来说，只有一次机会。中兴微电子承担了这一重任，中兴微电子副总经理、无线系统芯片总工程师龙志军介绍，2013年中兴微电子首先从工艺着手，选择了16纳米的新型工艺，同时提升存储器主频，强化集成度。在高强度的工作所承受的压力下，团队历时不到2年时间，提前完成了芯片的核心研发工作。
央视感慨，芯片的研发成功，就从另一方面代表着产品上市进入倒计时。在最后的测试环节，时间分秒流逝，中兴团队的每个人都投入全部的热情，要交出一颗最完美的中国芯。正是在这样的工作状态下，原本要六个月完成的测试，整个团队只用了一个多月就做完了所有测试，终于完成了Pre5G通信芯片的全部研发工作。
“这里是Pre5G基站的发货车间，这一批使用龙志军和团队自主研发通信芯片的产品，即将发往日本。这一次，中国人站到了世界通信芯片研发的前列。”
Pre5G芯片顺利研发成功，毫无疑问是中兴通讯在通信技术领域长期投资和丰厚积累的落地。中兴通讯每年将营业收入10%以上的资金投入研发，多个方面数据显示，近六年中兴通讯研发投入超过500亿元，其中仅2016年研发投入为128亿元，占营收比重达到12.61%。
长期坚持投资研发，为中兴通讯带来了强大的专利储备。根据世界知识产权组织（WIPO）公布的2016年全球企业申请注册国际专利的统计数据，中兴通讯以4123项已公开的PCT专利申请量排名第一。这是中兴通讯近7年来第三度排名PCT国际专利申请第一，连续7年位居前三。
在底层芯片领域，中兴通讯也投入巨资持续研发。据国际知名专利检索公司QUESTEL发布《芯片行业专利分析及专利组合质量评估》报告，中国企业在芯片专利数量上已逐步赶上国外老牌企业，中兴通讯以1551件跃居中国企业首位，全球排名第23位，表现突出。作为中兴通讯的全资子公司，截止2015年底，中兴微电子拥有超过2000件的专利资产，其中PCT专利超过600件。
当然，包括中兴通讯在内，中国厂商在芯片领域整体实力仍然落后欧美巨头，远远不能自满。中兴微电子副总经理刘新阳说，通信设施里面涉及的芯片非常多，例如CPU、存储和通信专用类芯片。“在通信专用芯片这一个方面，我们也可以做到自主研发，技术水平也能达到国际领先的水平。在CPU和存储这个方向，我们还有非常长的路要走，相对国际领先的产业巨头有不少差距，还需要追赶。”
集微网消息，2017年4月10日 展讯通信（以下简称“展讯”），作为中国领先的2G、3G和4G无线通信终端的核心芯片供应商之一，今日宣布其LTE芯片平台SC9820被印度首款4G功能手机Lava Connect M1采用，该手机已于2017年2月份在印度全面上市。
作为全球首款4G功能机芯片平台，展讯SC9820集成了双核1.2GHz ARM Cortex™-A7处理器，采用3D图形加速的ARM Mali 400图形处理器，支持TDD-LTE、 FDD-LTE、TD-SCDMA、GSM四模。同时，该芯片平台支持500万像素摄像头、720P视频播放、FWVGA屏幕显示以及VoLTE高清语音视频通话，极大提升了功能机的用户体验。
此外，展讯SC9820可帮助新兴运营商快速拓展用户，并助力传统运营商以较低成本将现有的2G、3G用户转移至4G网络。2017年该芯片平台也将进入拉美（秘鲁、墨西哥和哥伦比亚）及非洲市场。
“展讯SC9820是一款突破性的产品。” 展讯通信董事长兼CEO李力游博士表示，“一直以来，展讯致力于通过领先的移动通信技术，为全世界的用户更好的提供高性价比的智能连接体验，基于该愿景，我们推出了SC9820芯片平台。同时我们感到十分荣幸与Lava合作发布了创新产品Lava Connect M1，该手机为印度的功能机用户更好的提供了更多的可能性，是推动‘数字印度’发展的重要里程碑。期待展讯SC9820能够让全球更多的功能机用户连接到4G网络，尽享移动网络带来的沟通乐趣。”
Lava产品负责人Gaurav Nigam表示：“自成立以来，Lava始终追求产品的持续创新。并得到了许多志同道合商业伙伴的支持，展讯就是这里面之一。与展讯的合作一方面逐步推动了印度智能连接的发展，另一方面为用户更好的提供了极佳的终端体验。通过集成展讯SC9820, Lava Connect M1可帮助印度用户享受最新的技术，实现从2G、3G到4G网络的转变。”
作为紫光集团旗下的芯片设计企业，展讯致力于智能手机、功能型手机及其他消费电子科技类产品的手机芯片平台开发，产品支持2G、3G及4G无线通讯标准。基于高集成度、高效能的芯片，搭配客户化的软件及参考方案，展讯可提供完整的交钥匙平台方案，帮助客户实现更快的设计周期，并大大降低开发成本。展讯的客户涵盖全球及中国本土制造商，可为中国及全球新兴市场的消费的人提供卓越的手机产品。
Lava是印度移动手机行业的国际化企业，其总部在Noida，其经营事物的规模已拓展至泰国、尼泊尔、孟加拉、斯里兰卡、印度尼西亚、墨西哥、中东、俄罗斯等国家和地区。为响应印度制造的国家战略，Lava正致力于打造印度首个手机设计中心，同时扩大其现有的生产规模。其在中国和印度均设有研发及测试中心，进行产品的设计及研发。目前Lava已成为印度最受信赖的智能手机品牌，其产品质量和售后服务广受消费者好评。
原标题：拓墣产业研究院：外资赴陆设厂加剧竞争，中国大陆晶圆代工厂今年全力冲刺28纳米工艺
集微网消息，随着联电厦门子公司联芯的28纳米先进制程工艺计划在今年第二季正式量产，拓墣产业研究院指出，中国大陆本土晶圆代工厂今年将冲刺在28纳米最先进制程工艺的布局，进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子。然而，随着外资纷纷于中国大陆设立晶圆厂，本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力。
拓墣指出，中国大陆本土纯晶圆代工厂商目前最先进的量产制程工艺为28纳米，根据统计，2016年中芯国际28纳米晶圆产能全球占比不足1%，与28纳米制程市占率分别为66.7%、16.1%与8.4%的前三大纯晶圆代工厂商台积电、格罗方德、联电仍有较大差距。
不过，根据中芯国际财报显示，2016年第四季28纳米营收占比达到3.5%。中芯国际首席执行官邱慈云在2月15日的法说会上表示，28纳米以下制程工艺会是2017年中芯的成长动能之一，预期2017年底28纳米以下制程工艺将占公司营收比重达到7%-9%。在刚公布的2016年业绩报告中，中芯国际也展望2017年底28纳米季度营收占比接近10%。
观察华力微电子的制程工艺布局进度，虽然华力微电子宣布与联发科合作的28纳米移动通信芯片已顺利流片，但距量产仍有一段距离。华力微电子二期项目已于2016年底开工，计划2018年完工试产，预期将导入28纳米生产线纳米，华力微电子二期项目也有导入22纳米FD-SOI工艺的计划。
拓墣指出，目前正值中国集成电路产业快速的提升时期，除了本土晶圆制造厂商大力扩张发展外，受地方政府及资本的追捧，外资厂商也纷纷登陆，各厂商都寄望在中国集成电路产业高质量发展的关键之际提前布局，占据有利市场地位。根据外资厂商进驻大陆的技术布局习惯，一般会授权（N-1）代的技术，然而，这些技术往往又会对同期中国本土厂商产品造成非常大的冲击。
截至目前，在纯晶圆代工领域，选在南京建厂的台积电将于2018年下半年导入16纳米FinFET制程工艺，预计对中芯国际2019年初的14纳米FinFET量产计划产生较大影响；于成都落脚的格罗方德将于2019年底导入22纳米FD-SOI工艺制程，直接压迫同期华力微电子22纳米FD-SOI工艺的布局计划。
另一方面，去年底刚投产的厦门联芯，初期导入55/40纳米制程工艺，近日在联电成功实现14纳米FinFET量产计划的条件下，宣布正式获得联电28纳米技术授权，并计划最快2017年第二季度导入量产，预估到年底在产能一万六千片中，有一万片是28纳米。
在量产速度上，联芯成为大陆领先。虽然中芯国际的28纳米制程工艺已在这之前开始量产，但从产品规格来看，中芯更多偏向中低端的28纳米Ploy/SiON技术，对于高端的28纳米HKMG制程工艺涉足并不深，而联电的28纳米在量产时间上领先中芯国际两年，技术水准也相对来说更加全面和稳定，预计未来会对中芯国际28纳米的布局产生较大的影响。
因此，拓墣指出，未来随着各外资厂商新厂的落成投产，等待大陆本土厂商的将是来自各外资厂商在技术、人才、市场等多方面资源的直接竞争，中国大陆晶圆代工厂先进制程布局将全面开战。
传统硅基半导体计算机的提升越来越困难，而量子计算机普遍被视为未来的新希望，尤其是美国正全力投入研发，已经有了不少成果。
据中科院院长透露，中科院正在研制中国第一台量子计算机，预计最近几年就有望研制成功。
表示，科学家已经能够对单粒子和量子态进行调控，量子通信、量子计算机等都将产生变革性的突破。
那么，量子计算机到底有多厉害？举了一个形象的例子：如果要求解一个亿亿亿变量的方程组，如果用亿亿次的当今第一超级计算机天河二号计算，需要长达100年，而使用一台万亿次的量子计算机计算，只需区区0.01秒。
去年，中国成功发射了全球第一颗量子通信卫星，目前正在按照预期工作。在量子通信方面，中国已经走在世界前列。
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